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先进封装:半导体厂商的新战场

荷叶塘 ? 2020-12-18 07:14 ? 次阅读

电子发烧友报道(文/程文智)以前,摩尔定律是半导体产业的指南针,每两年在同样面积芯片上的晶体管数量就会翻一番。但现在,先进工艺走到5nm后,已经越来越难把更多的晶体管微缩,放到同样面积的芯片上,因此先进厂商除了继续推进摩尔定律外,也需要思考其他的方式来制造更高效能的半导体芯片。

此时,先进封装技术就变成了一个重要的领域,成为了半导体先进工艺领导厂商的最新战场。业内人士普遍预测未来10到20年,集成电路将主要通过异质结构系统集成来提升芯片密度和性能,实现功耗的降低和集成更多的功能。世界前三大先进工艺厂商已经率先布局,台积电、三星电子和英特尔都提出了相应的先进封装技术。

先进封装的市场规模

据市场调研机构YoleDevelopment在今年9月份发布的报告显示,2019年整个IC封装市场的规模为680亿美元,其中先进封装的市场规模为290亿美元,占了42.6%。同时,Yole还预测,2019年~2025年,先进封装的市场规模将会以6.6%的年复合增长率持续增长,到2025年将会达到420亿美元。

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图1:2019年~2025年芯片封装技术市场规模预测。(数据来源:Yole)


而且,Yole还在报告中表示,由于摩尔定律放缓和异构集成,以及包括5GAI、HPC和IoT在内应用的推动,先进封装的发展势头不可阻挡,预计到2025年,先进封装的市场规模将会占整个IC封装市场规模的一半。

Yole的分析师SantoshKumar补充说,2020年由于新冠疫情的影响,其实先进封装的市场规模并没有如预期的增长,而是下滑了7%左右,传统封装市场规模下滑了15%。不过,他同时强调,2020年的下滑是意外事件,2021年应该会重拾升势。

先进封装主要是指采用了非引线键合技术的封装,主要有Fan-out、Flip-Chip、Fan-inWLP、2.5D、3D封装,以及埋入式等封装技术。在先进封装中,不同的技术增长率也有所不同,其中3D封装年复合增长率最为快速,为25%。

另据中国半导体协会统计,2019年,中国大陆封测企业数量已经超过了120家,自2012年至2018年,封装测试业的市场规模从2012年的1034亿元,增长至2018年的2196亿元,复合增速为13.38%。2020年上半年我国集成电路产业销售额为3539亿元,同比增长16.1%。其中封装测试业销售额1082.4亿元,同比增长5.9%。

长电科技中国区研发中心副总经理李宗怿在最近的一次演讲中表示,近年来先进封装的发展是大势所趋,一是智能系统的集成在封装上是趋势;二是多种先进封装技术的混合或混搭是近几年的热点;三是封装在向小、轻、薄方向发展;四是受AI/HPC的推动,其后期组装的大颗Flip-Chip封装产品不是在向小方向发展,而是越来越大,预计2020年后的未来3年内很有可能出现100×100mm的尺寸规模。

也正是在这个大趋势下,半导体行业各大厂商竞相投资布局,一场先进封装技术竞赛已然拉开了帷幕。

各大厂商的先进封装近况

台积电方面,在封装技术上陆续推出2.5D的高端封装技术CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate),以及经济型的扇出型晶圆InFO(IntegratedFan-out)等先进封装技术后,2020年8月,在其线上技术研讨会上,台积电副总裁余振华宣布推出3DFabric整合技术平台,其中包括了前端封装技术(SoIC技术和CoW、WoW两种键合方式)和后端封装技术(CoWoS和InFO系列封装技术)。

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3DFabric可将各种逻辑、存储器件或专用芯片与SoC集成在一起,为高性能计算机、智能手机、IoT边缘设备等应用提供更小尺寸的芯片,并且可通过将高密度互连芯片集成到封装模块中,从而提高带宽、延迟和电源效率。

这带来的好处是:客户可以在模拟IO、射频等不经常更改、扩展性不大的模块上采用更成熟、更低成本的半导体技术,在核心逻辑设计上采用最先进的半导体技术,既节约了成本,又缩短了新产品的上市时间。台积电认为,芯片在2D层面的微缩已不能满足异构集成的需求,3D才是未来提升系统效能、缩小芯片面积、整合不同功能的发展趋势。

在11月份,台积电开始与Google和AMD等厂商一同测试,合作开发先进的3D堆栈晶圆级封装产品,并计划2022年进入量产。

台积电将此3D堆栈技术命名为“SoIC封装”,可以垂直与水平的进行芯片链接及堆栈封装。此技术可以让几种不同类型的芯片,比如处理器、内存与传感器堆栈到同一个封装中。这种技术能可让芯片组功能更强大,但尺寸更小,且具有更高能效。

据了解,台积电正在兴建中的苗栗竹南厂将采用这种3D堆栈技术。而Google和AMD将成为SoIC芯片的首批客户。这两家客户正协助台积电进行3D堆栈技术的测试及验证。苗栗竹南厂预定明年完工,2022年开始进入量产。

据消息人士透露,Google所采用的SoIC芯片将计划用在自动驾驶及其他的应用领域。AMD则希望通过3D堆栈技术打造出性能超越英特尔的芯片产品。

英特尔方面,2017年,推出了EMIB(EmbeddedMulti-DieInterconnectBridge,嵌入式多芯片互连桥接)封装技术,可将不同类型、不同工艺的芯片IP灵活地组合在一起,类似一个松散的SoC。2018年12月,英特尔再推出Foveros3D堆叠封装技术,可以通过在水平布置的芯片之上垂直安置更多面积更小、功能更简单的小芯片来让方案整体具备更完整的功能。

2019年7月,英特尔在SEMICONWest大会上分享了三项全新先进封装技术技术,Co-EMIB、全方位互连技术ODI(Omni-DirectionalInterconnect)、全新裸片间接口技术MDIO。Co-EMIB可以理解为EMIB和Foveros两项技术的结合,在水平物理层互连和垂直互连的同时,实现Foveros3D堆叠之间的水平互连。

2020年8月,英特尔在其2020年架构日中,展示了其在3D封装技术领域中的新进展,英特尔称其为“混合结合(Hybridbonding)”技术。

据介绍,混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch),提供更高的互连密度、更小更简单的电路、更大的带宽、更低的电容、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。

Intel目前的3DFoveros立体封装技术,可以实现50微米左右的凸点间距,每平方毫米集成大约400个凸点,而应用新的混合结合技术,不但凸点间距能缩小到1/5,每平方毫米的凸点数量也能超过1万,增加足足25倍。

采用混合结合封装技术的测试芯片已在2020年第二季度流片,但是Intel没有披露未来会在什么产品上商用。

三星电子方面,2015年在丢失苹果iPhone处理器代工订单后,三星电子成立了特别工作小组,目标开发先进封装FOPLP技术。2018年,三星电子FOPLP技术实现商用,应用于其自家智能手表GalaxyWatch的处理器封装应用中。

2019年10月,三星电子宣布已率先开发出12层3D-TSV技术。三星电子方面表示,这是大规模生产高性能芯片的最具挑战性的封装技术之一,该技术可垂直堆叠12个DRAM芯片,它们通过60000个TSV互连,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

2020年8月,三星电子宣布其采用3D封装技术的7纳米半导体的试制取得成功。该公司高管表示“如果利用3D这种创新,就能够跨越半导体的极限”。

三星电子将这种3D封装技术命名为“X-Cube”,全称是eXtended-Cube,意为拓展的立方体。在Die之间的互联上面,它使用的是成熟的TSV工艺,即硅穿孔工艺。使用X-Cube可以将不同芯片搭积木一样堆叠起来,三星电子表示,该技术目前已经可以用于7nm及5nm工艺。

此外,三星已经完成“2.5DRDL”的开发,还计划在2021年底启动I-Cube8X”技术,在5厘米宽、5厘米长芯片上放置8个HGM和逻辑部件,以及结合X-Cube和I-Cube优势的“X/ICube”技术。为了使封装服务多样化,三星已将世界第二大后端加工公司Amco列入其代工合作伙伴名单。

除了台积电、英特尔和三星电子拥有先进封装技术之外,存储器厂商美光也在开始自建封测产线、中芯国际在与长电科技合作投建封测厂中芯长电主攻先进封装、日月光、安靠、长电科技、通富微电,以及天水华天等封测厂商也都紧随其后,不断发力先进封装技术。

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图:长电科技的SiP产品线发展路线图。


比如长电科技在先进封装上布局非常全面,目前封装业务主要以先进封装为主,占封装业务的93.74%,长电先进、长电韩国以及星科金朋为主要工厂。长电先进具备FC、PoP、Fan-out、WLP、2.5D/3D等先进封装的能力;星科金朋新加坡厂拥有Fan-outeWLB和WLCSP封装能力,韩国厂拥有SiP和FC系统封测能力,江阴厂拥有先进的存储器封装、全系列的FC倒装技术;长电韩国主营SiP高端封装业务。

结语

目前不仅全球领先的半导体代工厂拥有3D或2.5D的先进封装技术,封测厂商也在发力先进封装技术。目前进入先进封装领域的厂商基本上都是头部的半导体企业,随着技术的发展未来将会有更多的厂商加入,竞争才刚刚开始。

本文由电子发烧友原创,未经授权请勿转载。

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  工作于开关状态的晶体管由于电流变化率di/dt和电压变化率dv/dt而产生瞬态过电流和瞬态过电压,这种现象称为电应力。电应力的...
发表于 11-26 17:26 ? 202次 阅读
防止开关晶体管损坏的措施

如何设置晶体管的Q点偏置?看看这篇文章就知道了

晶体管的稳态操作在很大程度上取决于其基极电流,集电极电压和集电极电流值,因此,如果晶体管要正确地用作线性放大器,则必须在...
发表于 11-12 09:18 ? 1003次 阅读
如何设置晶体管的Q点偏置?看看这篇文章就知道了

ICM-20649 TDKInvenSenseICM206496轴MEMSMotionTracking器件

venSense ICM-20649 6轴MEMS MotionTracking?器件通过提供撞击前、撞击期间和撞击后的连续运动传感器数据,对接触类运动应用进行精确的分析。这样即可为足球、篮球、高尔夫、网球等运动提供更加精确的反馈。TDK InvenSense ICM-20649采用小型3mm x 3mm x 0.9mm 24引脚QFN封装,可针对陀螺仪实现±4000dps的扩展满量程范围 (FSR),针对加速度计实现±30g的扩展满量程范围。其他主要特性包括片上16位ADC、运行时校准固件、可编程数字滤波器、嵌入式温度传感器和可编程中断。通过高达100kHz(标准模式)或高达400kHz(快速模式)的IC,或者高达7MHz的SPI,可与该器件进行通信。 特性 3轴陀螺仪,可编程FSR为±500dps、±100dps、±2000dps和±4000dps 3轴加速度计,可编程FSR为±4g、±8g、±16g和±30g 启用...
发表于 11-12 09:07 ? 36次 阅读
ICM-20649 TDKInvenSenseICM206496轴MEMSMotionTracking器件

放大器还不知道怎么分类?一文轻松搞清楚明白

并非所有放大器都相同,并且它们的输出级的配置和操作方式也有明显的区别。理想放大器的主要工作特性是线性,信号增益,效率和功...
发表于 11-11 09:23 ? 959次 阅读
放大器还不知道怎么分类?一文轻松搞清楚明白

MAX20030BATMA/V+ Maxim Integrated MAX20030/1汽车降压控制器

Integrated MAX20030和MAX20031汽车降压控制器是2.2MHz双路同步降压控制器,集成了预升压控制器和低I LDO。该预升压控制器支持V和V在冷启动操作期间保持稳压,直至电池输入低至2V。MAX20030和MAX20031设有两个高压同步降压控制器,可在180°异相下工作。这些器件的输入 电压为3.5V至42.0V,可通过97%占空比在低压差条件下运行。这些降压控制器非常适合用于可在宽输入电压范围(如汽车冷启动或发动机停止启动条件)内工作,具有中高功率要求的应用。 MAX20030和MAX20031降压控制器的工作频率高达2.2MHz,支持使用小型外部元件,减少输出纹波,并消除AM频段干扰。开关频率可通过电阻器在220kHz至2200kHz范围内฀...
发表于 11-10 11:07 ? 54次 阅读
MAX20030BATMA/V+ Maxim Integrated MAX20030/1汽车降压控制器

MAX16926GTP/V+ Maxim Integrated MAX16926汽车显示器电源解决方案

Integrated MAX16926汽车显示器电源解决方案是一款4通道电源管理IC。MAX16926设计用于安装现代汽车TFT显示器中使用的主电源轨。MAX16926和MAX20069 TFT电源和LED背光驱动器可以为汽车显示器电源要求提供双芯片解决方案。 特性 高度集成 集成式看门狗定时器 高度可靠、低EMI 应用 信息娱乐系统显示屏 中央信息显示屏 仪表盘...
发表于 11-10 09:07 ? 22次 阅读
MAX16926GTP/V+ Maxim Integrated MAX16926汽车显示器电源解决方案

STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
发表于 11-09 12:07 ? 24次 阅读
STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

MAX20766EPE+ Maxim Integrated MAX20766智能从设备IC

Integrated MAX20766智能从设备IC设计用于用于搭配Maxim第七代控制器使用,实现高密度多相稳压器。多达六个智能从设备集成电路加一个控制器集成电路,组成紧凑的同步降压转换器,它可以通过SMBus/PMBus?实现精确的单独相电流和温度报告。 Maxim MAX20766智能从设备IC为过热、VX短路和所有电源UVLO故障提供多种保护电路。如果检测到故障,则该器件立即关断,并向控制器IC发送信号。 MAX20766采用16引脚FCQFN封装(具有裸露的顶部散热焊盘)。顶部散热改善...
发表于 11-09 09:07 ? 25次 阅读
MAX20766EPE+ Maxim Integrated MAX20766智能从设备IC

ICS-40730 TDKInvenSenseICS40730低噪声麦克风

venSense ICS-40730低噪声麦克风是一款差分模拟输出、底部端口式微机电系统 (MEMS) 麦克风。ICS-40730集成有MEMS麦克风元件、阻抗转换器、差分输出放大器和增强型射频封装。该款低噪声麦克风具有高达74dBA的SNR、-32dBV差分灵敏度、-38dBV单端灵敏度、124dB SPL声学过载点以及±2dB灵敏度容差。典型应用包括智能家居设备、智能手机、电话会议系统、安防、监控、麦克风阵列、语音控制和激活。 特性 74dBA超高SNR 灵敏度: -32dBV差分灵敏度 -38dBV单端灵敏度 ±2dB灵敏度容差 非反相信号输出 25Hz至20kHz扩展频率响应 增强的射频性能 285µA电流消耗 124dB SPL...
发表于 11-09 09:07 ? 75次 阅读
ICS-40730 TDKInvenSenseICS40730低噪声麦克风

MAX22025AWA+ Maxim Integrated MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器

Integrated MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器可在器件的电缆侧(RS-485/RS-422驱动器/接收器侧)和UART侧之间提供3.5kVRMS数字电流隔离。当两个端口之间存在较大的接地电位差时,隔离通过中断接地环路来改善通信,并降低噪声。这些器件允许高达0.5Mbps或16Mbps的稳健通信。 MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器具有Maxim专有的AutoDirection控制功能,因此非常适合用于隔离式RS-485端口等应用,其中驱动器输入与驱动器使能信号搭配使用以驱动差分总线。 MAX22025、MAX22027、MAX22025F和MAX22027F具有较低压&#...
发表于 11-09 09:07 ? 54次 阅读
MAX22025AWA+ Maxim Integrated MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器

ICS-40212 TDKInvenSenseICS40212模拟麦克风

venSense ICS-40212模拟麦克风是一款微机电系统 (MEMS) 麦克风,具有极高动态范围和低功耗常开模式。该麦克风包含MEMS麦克风元件、阻抗转换器和输出放大器。ICS-40212在电源电压低于2V且工作电流为55μA时,采用低功耗工作模式。 ICS-40212麦克风具有128dB声压级 (SPL) 声学过载点(高性能模式下)、±1dB的严密灵敏度容差以及35Hz至20kHz扩展频率响应。该麦克风采用底部端口表面贴装封装,尺寸为3.5mm x 2.65mm x 0.98mm。典型应用包括智能手机、照相机和摄像机...
发表于 11-09 09:07 ? 53次 阅读
ICS-40212 TDKInvenSenseICS40212模拟麦克风

ICS-40638 TDKInvenSenseICS40638AOP模拟MEMS麦克风

venSense ICS-40638高声学过载点 (AOP) 模拟MEMS麦克风(带差分输出)具有极高的动态范围,工作温度高达105°C。ICS-40638包括一个MEMS麦克风元件、一个阻抗转换器和一个差分输出放大器。该麦克风具有138dB声压级 (SPL) 声学过载点、±1dB小灵敏度容差以及对辐射和传导射频干扰的增强抗扰度。该系列具有35Hz至20kHz扩展频率响应,采用紧凑型3.50mm × 2.65mm × 0.98 mm底部端口表面贴装封装。TDK InvenSense ICS-40638 AOP模拟MEMS麦克风应用包括汽车、相机和摄像机以及物联网 (IoT) 设备。 特性 差分非反向模拟输出 灵敏度:-43dBV(差分) 灵敏度容差:±1dB 35Hz至20kHz扩展频率响应 增强的射频抗扰度 PSRR:−81dB 3.50...
发表于 11-06 09:07 ? 116次 阅读
ICS-40638 TDKInvenSenseICS40638AOP模拟MEMS麦克风

DK-42688-P TDKInvenSenseDK42688P评估板

venSense DK-42688-P评估板是用于ICM-42688-P高性能6轴运动传感器的全面开发平台。该评估板设有用于编程和调试的板载嵌入式调试器和用于主机接口的USB连接器,可支持软件调试和传感器数据记录。DK-42688-P平台设计采用Microchip G55 MCU,可用于快速评估和开发基于ICM-42688-P的解决方案。TDK InvenSense DK-42688-P评估板配有必要的软件,包括基于GUI的开发工具InvenSense Motion Link,以及用于ICM-42688-P的嵌入式运动驱动器。 特性 用于ICM-42688-P 6轴运动传感器 带512KB闪存的Microchip G55 MCU 用于编程和调试的板载嵌入式调试器 用于主机接口的USB连接器 通过USB连接的电路板电源 ...
发表于 11-06 09:07 ? 57次 阅读
DK-42688-P TDKInvenSenseDK42688P评估板

STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm? 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
发表于 11-06 09:07 ? 51次 阅读
STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

ICS-52000 TDKInvenSenseICS52000带TDM数字输出的低噪声麦克风

venSense ICS‐52000是一款低噪声数字TDM输出底部端口麦克风,采用4mm × 3mm × 1mm小尺寸表面贴装封装。 ?该器件由MEMS传感器、信号调理、模数转换器、抽取和抗混叠滤波器、电源管理以及行业标准的24位TDM接口组成。 借助TDM接口,包括多达16个ICS‐52000麦克风的阵列可直接连接诸如DSP和微控制器等数字处理器,无需在系统中采用音频编解码器。 阵列中的所有麦克风都同步对其声信号进行采样,从而实现精确的阵列处理。 ICS‐52000具有65dBA的高SNR和宽带频率响应。 灵敏度容差为±1dB,可实现无需进行系统校准的高性能麦克风阵列。 ICS-52000具有两种电源状态:正常运行和待机模式。 该麦克风具有软取消静音功能,可防止上电时发出声音。 从ICS-52000开始输出数据时开始,音量将在256WS时钟周期内上升到满量程输出电平。 采样率为48kHz,该取消静音序列大约需要5.3ms。 The ICS‐52000 features a high SNR of 65dBA and a wideband frequency response. The sensitivity tolerance is ±1dB enabling high‐performance micropho...
发表于 11-05 17:07 ? 30次 阅读
ICS-52000 TDKInvenSenseICS52000带TDM数字输出的低噪声麦克风

IAM-20380 TDKInvenSenseIAM20380高性能陀螺仪

venSense IAM-20380高性能陀螺仪具有0.5VDD至4V电压范围、400kHz时钟频率以及-40°C至+85°C工作温度范围。IAM-20380具有3轴集成,因此制造商无需对分立器件进行昂贵且复杂的系统级集成。TDK InvenSense IAM-20380高性能陀螺仪非常适合用于汽车报警器、远程信息处理和保险车辆追踪应用。 特性 数字输出X、Y和Z轴角速率传感器(陀螺仪) 用户可编程满量程范围为±250dps、±500dps、±1000dps和±2000dps 集成16位ADC 用户可编程数字滤波器,用于陀螺仪和温度传感器 按照AEC-Q100执行&...
发表于 11-03 10:07 ? 30次 阅读
IAM-20380 TDKInvenSenseIAM20380高性能陀螺仪

MPF5024AMMA0ES NXP Semiconductors PF502x电源管理集成电路

502x电源管理集成电路 (PMIC) 在一个器件中集成了多个高性能降压稳压器。PF502x PMIC既可用作独立的负载点稳压器IC,也可用作较大PMIC的配套芯片。 NXP PF502x电源管理集成电路 (PMIC) 具有用于关键启动配置的内置一次性可编程 (OTP) 存储器存储。借助该OTP特性,可减少通常用于设置输出电压和稳压器序列的外部元件数量,从而打造时尚器件。启动后,稳压器参数可通过高速I2C进行&#...
发表于 11-02 12:06 ? 37次 阅读
MPF5024AMMA0ES NXP Semiconductors PF502x电源管理集成电路

T3902 TDKInvenSenseT3902低功耗多模麦克风

vensense T3902低功耗多模麦克风具有185μA至650μA电流范围、36Hz至>20kHz额定频率以及3.5mm × 2.65mm × 0.98mm表面贴装封装。T3902麦克风由一个MEMS麦克风元件和一个阻抗转换器放大器,以及之后的一个四阶调制器组成。T3902系列具有高性能、低功耗、标准和睡眠等工作模式。TDK Invensense T3902低功耗多模麦克风非常适合用于智能手机、相机、平板电脑以及安全和监控应用。 特性 3.5mm × 2.65mm × 0.98mm表面贴装封装 低功耗模式:185µA 扩展频率响应:36Hz至>20kHz 睡眠模式电流:12µA 高电源抑制 (PSR):-97dB FS 四阶∑-Δ调制器 数字脉冲密度调制 (PDM) 输...
发表于 10-30 11:06 ? 46次 阅读
T3902 TDKInvenSenseT3902低功耗多模麦克风

ICS-40740 TDKInvenSenseICS40740超低噪声麦克风

venSense ICS-40740超低噪声麦克风具有超低噪声、高动态范围、差分模拟输出和1个底部端口。TDK InvenSense ICS-40740器件采用MEMS麦克风元件、阻抗转换器、差分输出放大器和增强型射频封装。ICS-40740器件具有70dB SNR和±1dB灵敏度容差,因此非常适合用于麦克风阵列和远场语音控制应用。 特性 70d BA信噪比 -37.5dBV灵敏度 ±1dB灵敏度容差 4mm x 3mm x 1.2mm表面贴装封装 80Hz至20kHz扩展频率响应 165µA电流消耗 132.5dB SPL声学过载点 -87d BV PSR 兼容无锡/铅和无铅焊接工艺 符合RoHS指令/WEEE标准 ...
发表于 10-30 10:06 ? 122次 阅读
ICS-40740 TDKInvenSenseICS40740超低噪声麦克风

IAM-20680 TDKIAM20680 MEMSMotion Tracking器件

venSense IAM-20680 6轴MotionTracking器件在3mm x 3mm x 0.75mm的小尺寸封装中集成了3轴陀螺仪和3轴加速度计。IAM-50680器件具有片上16位ADC、可编程数字滤波器、嵌入式温度传感器和可编程中断。TDK InvenSense IAM-20680 6轴MotionTracking器件非常适合用于360°视角相机稳定、汽车报警器和远程信息处理应用。 特性 数字输出X、Y和Z轴角速率传感器(陀螺仪) 用户可编程满量程范围为±250dps、±500dps、±1000dps和±2000dps,集成16位ADC 数字输出X、Y和Z轴加速度计,具有±2g、±4g、±8g和±16g的可编程满量程范围,集成16位ADC 用户可编程数字滤波器,用于陀螺仪、加速度计和温度传感器 自检功能 唤醒运动中断,用于应用处理器的低功耗运行 按照AEC-Q100执行的可靠性测试 按要求提供PPAP和认证数据 应用 导航系统航位推算辅助功能 ...
发表于 10-29 13:06 ? 63次 阅读
IAM-20680 TDKIAM20680 MEMSMotion Tracking器件

MAXM17720AMB+ Maxim Integrated MAXM17712/20/24 PMIC

Integrated MAXM17712/20/24电源管理专用IC (PMIC) 是喜马拉雅微型系统级IC (µSLIC) 电源模块,可实现散热更好、尺寸更小、更加简单的电源解决方案。这些IC将高效率150 mA同步降压直流-直流转换器和高PSRR、低噪声、50mA线性稳压器集成到µSLIC™电源模块中。该PMIC在4V至60V宽输入电压范围内工作。该降压转换器和线性稳压器可提供高达150mA和50mA输出电流。 直流-直流转换器的输出用作线性稳压器的输入。这些线性稳压器在不同模块中提供1.2V至3.3V固定输出电压。MAXM17712/20/24模块采用薄型设计,采用2.6mmx3mmx1.5mm µSLIC封装。典型应用包括工业传感器、暖通空调和楼宇控制、电池供电设备以及LDO替代品。 特性 易于使用: 4V至60V宽输入降压转换器 可调节及固定的输出电压模块 内部电感器和补偿 降压转换器输出电流高达150mA 线性稳压器输出的精度为±1.3%,FB精度为±2% 全陶瓷电容器、紧凑布局 ...
发表于 10-29 13:06 ? 34次 阅读
MAXM17720AMB+ Maxim Integrated MAXM17712/20/24 PMIC

MAX40027ATC/VY+ Maxim Integrated MAX40027双路高速比较器

MAX40027双路高速比较器具有280ps典型传播延迟。这些比较器具有极低过驱分散(25ps,典型值),因此非常适合用于飞行时间、距离测量应用。该器件的输入共模范围为1.5V至V+ 0.1V,与MAX40658、MAX40660和MAX40661等多个广泛使用的高速跨阻放大器的输出摆幅兼容。输出级为LVDS(低压差分信号),有助于最大限度地降低功耗,直接与诸多FPGA和CPU连接。互补输出有助于抑制每个输出线上的共模噪声。MAX40027采用小型、节省空间的3mm x 2mm、12引脚TDFN封装,带侧面可湿性侧翼,符合AEC-Q100汽车级认证要求。MAX40027的工作温度范围为-40°C至+125°C,可在2.7V至3.6V电源电压下工作。 特性 快速传播延迟:280ps(典型值) 低过驱色散:25ps(VOD=10mV至1V)  电源电压:2.7V至3.6V 2.7V电源时45.9mw(每个比较器) 节能型LVDS输出 温度范围:-40°C至+125°C 符合汽车类AEC-Q100标准 小型3mm x 2mm TDFN封装,带可湿性侧翼 ...
发表于 10-29 13:06 ? 37次 阅读
MAX40027ATC/VY+ Maxim Integrated MAX40027双路高速比较器

LPC55S66JBD64K NXP Semiconductors LPC55S6x Arm? Cortex?-M33微控制器

miconductors LPC55S6x Arm Cortex-M33微控制器 (MCU) 采用Arm双核和Arm TrustZone 技术,适用于工业、楼宇自动化、物联网 (IoT) 边缘计算、诊断设备和消费电子应用。这些器件基于Armv8-M架构,采用低功耗40nm嵌入式闪存工艺,具有先进的安全特性。 LPC55S6x微控制器具有一套独特的安全模块,可为嵌入式系统提供层保护,同时保护最终产品在整个生命周期内免受未知或意外的威胁。这些块包括基于可信根和配置的SRAM PUF、来自加密图像的实时执行&...
发表于 10-29 13:06 ? 38次 阅读
LPC55S66JBD64K NXP Semiconductors LPC55S6x Arm? Cortex?-M33微控制器
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